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一种肖特基二极管的制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201410250761.2
  • IPC分类号:H01L21/329
  • 申请日期:
    2014-06-06
  • 申请人:
    北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
著录项信息
专利名称一种肖特基二极管的制造方法
申请号CN201410250761.2申请日期2014-06-06
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2016-03-30公开/公告号CN105448710A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/329IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;2;9查看分类表>
申请人北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司申请人地址
北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦808室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司当前权利人北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司
发明人崔金洪;谢春诚
代理机构北京银龙知识产权代理有限公司代理人许静;黄灿
摘要
本发明提供了一种肖特基二极管的制造方法,包括:在硅片的第一表面制成二氧化硅层,刻蚀所述二氧化硅层形成硬掩膜,在所述二氧化硅层被刻蚀的部分进行光刻和刻蚀形成沟槽,利用覆盖所述硬掩膜和所述沟槽中间部分的掩膜板,在所述沟槽中形成栅极氧化层,在所述硬掩膜以及所述栅极氧化层的基础上制成多晶硅层,移除所述第一表面上的所述硬掩膜以及所述沟槽外的多晶硅层,沉积金属并合金,制成第一金属层,对所述第一金属层进行光刻和刻蚀,形成第一电极,在所述硅片与所述第一表面相对的第二表面上形成第二电极。本发明提供的方案极大的节约了制造成本和流程步骤,显著提高了肖特基二极管的生产效率。

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