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带沟槽栅结构的深槽超结MOSFET器件

实用新型有效专利
  • 申请号:
    CN201821424487.6
  • IPC分类号:H01L29/06H01L29/423H01L29/78H01L21/28H01L21/336
  • 申请日期:
    2018-08-31
  • 申请人:
    无锡麟力科技有限公司
著录项信息
专利名称带沟槽栅结构的深槽超结MOSFET器件
申请号CN201821424487.6申请日期2018-08-31
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336查看分类表>
申请人无锡麟力科技有限公司申请人地址
江苏省无锡市锡山经济技术开发区芙蓉中三路99号瑞*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人无锡麟力科技有限公司当前权利人无锡麟力科技有限公司
发明人许剑;刘桂芝;夏虎
代理机构无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)代理人王闯;葛莉华
摘要
本实用新型涉及功率器件技术领域,尤其涉及一种带沟槽栅结构的深槽超结MOSFET器件,其结构包括N+型衬底、N‑型外延层、P型柱深槽结构、P型体区、P+有源区、N+有源区、栅极氧化层、多晶硅栅极、介质层、源极金属;本实用新型所述的带沟槽栅结构的深槽超结MOSFET器件采用沟槽栅结构,且沟槽栅位于P型柱深槽结构正上方,P型柱深槽结构位于N‑外延层内,该结构既保留了深槽超结MOSFET器件横向耗尽快,耐压高的特点,同时又具有沟槽栅屏蔽JFET电阻的特点,从而提高了超结MOSFET器件的功率密度。

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