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半导体装置以及电力变换装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201980090055.7
  • IPC分类号:H01L29/12;H01L29/06;H01L29/78;H01L29/872
  • 申请日期:
    2019-01-29
  • 申请人:
    三菱电机株式会社
著录项信息
专利名称半导体装置以及电力变换装置
申请号CN201980090055.7申请日期2019-01-29
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-31公开/公告号CN113330579A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/12IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;1;2;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;8;7;2查看分类表>
申请人三菱电机株式会社申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三菱电机株式会社当前权利人三菱电机株式会社
发明人海老原洪平;日野史郎;宫崎光介;高木保志
代理机构中国贸促会专利商标事务所有限公司代理人李今子
摘要
涉及在半导体基板的厚度方向上流过主电流的半导体装置,半导体基板具有:第1导电类型的半导体层;以及第2导电类型的阱区域,设置于半导体层的上层部,半导体装置具备:表面电极,设置于与第1主面相反的一侧的第2主面上;背面电极,设置于第1主面上;以及上表面膜,覆盖表面电极的端缘部以及半导体基板的外侧区域的至少一部分,阱区域具有向比表面电极的端面更靠外侧的外侧区域延伸的部分和向比表面电极的所述端面更靠内侧的内侧区域延伸的部分,表面电极覆盖内侧区域的至少一部分并且与阱区域电连接,上表面膜具有至少1个外周开口部,该至少1个外周开口部离开外侧区域的表面电极,沿着表面电极的外周设置。

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