具有译码器及局部字符线驱动器的三维与非门存储器

发明专利有效专利

申请号：
CN201510134558.3
IPC分类号：G11C16/08;G11C16/24
申请日期：
2015-03-26
申请人：
旺宏电子股份有限公司

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著录项信息

专利名称	具有译码器及局部字符线驱动器的三维与非门存储器
申请号	CN201510134558.3	申请日期	2015-03-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-11-23	公开/公告号	CN106158021A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/08 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/08 地址电路；译码器；字线控制电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;0;8;;;G;1;1;C;1;6;/;2;4查看分类表>
申请人	旺宏电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区力行路16号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旺宏电子股份有限公司	当前权利人	旺宏电子股份有限公司
发明人	陈士弘
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	任岩

摘要

本发明公开了一种存储器。存储器包括由多个堆叠、多个导电垂直结构、多个存储元件、多个导线及一控制电路。所述堆叠由多个导电条带所组成。所述导电垂直结构正交于所述堆叠。存储元件位于所述堆叠与些导电垂直结构的侧表面的交会点的邻接区域。所述堆叠包括一底层、多个中间层及一顶层。多个第一导线电性耦接于顶层。多个第二导线及多个第三导线电性耦接于所述中间层。控制电路用于使所述第一导线选择所述堆叠的至少一第一特定堆叠、使所述第二导线选择该至少一第一特定堆叠、并使所述第三导线选择所述中间层的至少一层。

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