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一种氮气氧化物传感器芯片

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201822126019.7
  • IPC分类号:G01N27/41
  • 申请日期:
    2018-12-18
  • 申请人:
    武汉泽科宁电子科技有限公司
著录项信息
专利名称一种氮气氧化物传感器芯片
申请号CN201822126019.7申请日期2018-12-18
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N27/41IPC分类号G;0;1;N;2;7;/;4;1查看分类表>
申请人武汉泽科宁电子科技有限公司申请人地址
湖北省武汉市经济技术开发区西北湖四路昌华工业园 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉泽科宁电子科技有限公司当前权利人武汉泽科宁电子科技有限公司
发明人曾咏平;尧中华;胡国付;张喜成
代理机构武汉开元知识产权代理有限公司代理人马辉
摘要
本实用新型涉及一种氮气氧化物传感器芯片。该氮气氧化物传感器芯片,包括依次叠压的上氧泵电池层、尾气控制层、下氧泵电池层、多孔氧参比层、上加热基板层和下加热基板层,上氧泵电池层一面印刷上氧泵电极层,上氧泵电池层另一面与下氧泵电池层之间设有气体检测室和多孔气体扩散障层,气体检测室内设有凸台,通过凸台设计,增大汽车尾气与催化电极接触面积,使更多非氮氧化物气体被催化,提高检测精度;采用多孔进气口技术,可以过滤尾气中颗粒,更好稳定气流及支撑结构,提高芯片强度和成品率;采用多孔陶瓷支撑技术,通过多孔架构制备参考空气腔体,提高瓷片的力学强度,有利于提高成品率。

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