一种MicroOLED器件结构

1.一种Micro OLED器件结构，其特征在于：所述的Micro OLED器件结构包括CMOS基板(a)、阳极Anode(b)、PDL层(c)、OLED层(d)、OC1层(f)、OC2层(g)、TFE层(h)、CG层(i)、CF层(j)；
所述的CMOS基板(a)一侧设置阳极Anode(b)，阳极Anode(b)上设置PDL层(c)，PDL层(c)分为三层，第一层为聚酰亚胺或无机层，第二层为Ag，第三层为聚酰亚胺或无机层。
2.根据权利要求1所述的Micro OLED器件结构，其特征在于：所述的PDL层(c)的第一层厚度为50nm‑500nm，PDL层(c)的第二层厚度为5nm‑100nm，PDL层(c)的第三层厚度为50nm‑
500nm。
3.根据权利要求1或2所述的Micro OLED器件结构，其特征在于：所述的阳极Anode(b)上设置OLED层(d)，OLED层(d)上设置TFE层(h)，TFE层(h)表面依次设置OC1层(f)、CF层(j)、OC2层(g)。
4.根据权利要求3所述的Micro OLED器件结构，其特征在于：所述的OC2层(g)表面设置CG层(i)。

一种Micro OLED器件结构\n技术领域\n[0001] 本实用新型属于Micro OLED技术领域，更具体地说，是涉及一种Micro OLED 器件结构。\n背景技术\n[0002] Micro OLED(Organic Light Emitting Display)是一种微型OLED显示技术，主要应用于特种军用显示(枪支瞄准镜/单兵作战头盔显示器/飞行员头盔等)以及民用消费电子领域(AR/VR/微型投影仪/航空拍摄等)，Micro OLED具有体积小、重量轻、功耗低、对比度高、分辨率高等优点，将会迎来爆发式增长。在micro OLED的产品中，一般都是采用白光加彩胶层(CF层)的方式实现彩色显示，而使用这种结构时，发光层与彩胶层(CF层)之间间隔有封装层、 OC层，距离较远，容易发生串光现象，导致偏色、色域降低等问题。\n实用新型内容\n[0003] 本实用新型所要解决的技术问题是：针对现有技术的不足，提供一种步骤简单，在PDL层内部设置反射层，将PDL分成三层，使得反射层能够将斜射的光线反射回去，从而减轻出光的散射效应，达到降低串光的效果，提高产品整体性能的Micro OLED器件结构。\n[0004] 要解决以上所述的技术问题，本实用新型采取的技术方案为：\n[0005] 本实用新型所述的Micro OLED器件结构的制备步骤为：\n[0006] S1.在硅片基底上制备CMOS驱动电路，形成CMOS基板；\n[0007] S2.在CMOS基板上制备Anode层；\n[0008] S3.在Anode层上通过黄光制程制备PDL层，PDL层分为三层，第一层为聚酰亚胺或无机层，其中无机层包括但不限于SiN、SiO、SiON，第一层厚度为50nm‑500nm，第二层为Ag，第二层厚度为5nm‑100nm，第三层为聚酰亚胺或无机层，其中无机层包括但不限于SiN、SiO、SiON，第三层厚度为50nm‑500nm；\n[0009] S4.蒸镀制程制备OLED层；\n[0010] S5.制备TFE层h；\n[0011] S6.完成后续OC1层、CF层、OC2层制备黄光制程，及贴合、切割的模组制程。\n[0012] 蒸镀制程制备的OLED层d包括有机发光层、cathode层、CPL膜层。\n[0013] 制备TFE层h时，制备方法包括但不限于ALD、PECVD、IJP，TFE层h的膜层结构为Al2O3或TiO2或ATO或SiN或SiON或SiO或亚克力系有物或环氧树脂系有机物膜层中的一种或几种的组合。\n[0014] 本实用新型还涉及一种结构简单，通过局部结构改进，在PDL层内部设置反射层，将PDL分成三层，使得反射层能够将斜射的光线反射回去，减轻出光的散射效应，达到降低串光的效果，提高产品整体性能的Micro OLED器件结构。\n[0015] 所述的Micro OLED器件结构包括CMOS基板a、阳极Anode、PDL层c、OLED 层d、OC1层f、OC2层g、TFE层h、CG层i、CF层j。\n[0016] 所述的CMOS基板a一侧设置阳极Anode，阳极Anode上设置PDL层c，PDL 层c分为三层，第一层为聚酰亚胺或无机层，其中无机层包括但不限于SiN或 SiO或SiON，第一层厚度为50nm‑500nm，第二层为Ag，第二层厚度为5nm‑100nm，第三层为聚酰亚胺或无机层，其中无机层包括但不限于SiN、SiO、SiON，第三层厚度为50nm‑500nm。\n[0017] 所述的阳极Anode上设置OLED层d，OLED层d上设置TFE层h，TFE层h 表面依次设置OC1层f、CF层j、OC2层g。\n[0018] 所述的OC2层g表面设置CG层i。\n[0019] 采用本实用新型的技术方案，能得到以下的有益效果：\n[0020] 本实用新型所述的Micro OLED器件结构，针对现有技术中的器件结构的发光层与彩胶层(CF)之间间隔有TFE层、OC层，距离较远，容易发生串光的现象，导致偏色、色域降低等问题的技术问题而提出改进。本实用新型通过在PDL 层内部设置反射层：将PDL分成三层，中间一层的Ag为反射层，反射层能够将斜射的光线反射回去。这样的结构，能够减轻出光的散射效应，达到降低串光的效果。本实用新型所述的Micro OLED器件结构，步骤简单，通过局部结构改进，在PDL层内部设置反射层，将PDL分成三层，使得反射层能够将斜射的光线反射回去，减轻出光的散射效应，达到降低串光的效果，提高产品整体性能。\n附图说明\n[0021] 下面对本说明书各附图所表达的内容及图中的标记作出简要的说明：\n[0022] 图1为本实用新型所述的Micro OLED器件结构的结构示意图；\n[0023] 附图中标记分别为：a、CMOS基板；b、Anode层(阳极)；c、PDL层(像素定义层)；d、OLED层；f、OC1层；g、OC2层；h、TFE层(封装层)；i、CG层 (盖板)；j、CF层。\n具体实施方式\n[0024] 下面对照附图，通过对实施例的描述，对本实用新型的具体实施方式如所涉及的各构件的形状、构造、各部分之间的相互位置及连接关系、各部分的作用及工作原理等作进一步的详细说明：\n[0025] 如附图1所示，本实用新型所述的Micro OLED器件结构的制备方法的制备步骤为：\nS1.在硅片基底上制备CMOS驱动电路，形成CMOS基板a；S2.在CMOS 基板a上制备Anode层b；\nS3.在Anode层b上通过黄光制程制备PDL层c，PDL 层c分为三层，第一层为聚酰亚胺或无机层，其中无机层包括但不限于SiN、SiO、 SiON，第一层厚度为50nm‑500nm，第二层为Ag，第二层厚度为5nm‑100nm，第三层为聚酰亚胺或无机层，其中无机层包括但不限于SiN、SiO、SiON，第三层厚度为50nm‑500nm；S4.蒸镀制程制备OLED层d；S5.制备TFE层h；S6.完成后续OC1层f、CF层j、OC2层g制备黄光制程及贴合、切割模组制程。上述步骤，针对现有技术中的器件结构的发光层与彩胶层(CF)之间间隔有TFE层h、OC 层，距离较远，容易发生串光的现象，导致偏色、色域降低等问题的技术问题而提出改进。本实用新型通过在PDL层内部设置反射层：将PDL分成三层，中间一层的Ag为反射层，反射层能够将斜射的光线反射回去。这样的结构，能够减轻出光的散射效应，达到降低串光的效果。本实用新型所述的Micro OLED器件结构，步骤简单，通过局部结构改进，在PDL层内部设置反射层，将PDL分成三层，使得反射层能够将斜射的光线反射回去，减轻出光的散射效应，达到降低串光的效果，提高产品整体性能。\n[0026] 完成后续黄光及模组制程时，黄光制程包括OC1层f、CF层j、OC2层g，模组制程包括盖板贴合、切割。蒸镀制程制备的OLED层d包括有机发光层、 cathode层、CPL膜层。制备TFE层h时，制备方法包括但不限于ALD、PECVD、 IJP，TFE层h的膜层结构为Al2O3或TiO2或ATO或SiN或SiON或SiO或亚克力系有物或环氧树脂系有机物膜层中的一种或几种的组合。\n[0027] 本实用新型还涉及一种结构简单，通过局部结构改进，在PDL层内部设置反射层，将PDL分成三层，使得反射层能够将斜射的光线反射回去，减轻出光的散射效应，达到降低串光的效果，提高产品整体性能的Micro OLED器件结构。\n[0028] 所述的Micro OLED器件结构包括CMOS基板a、阳极Anode、PDL层c、OLED 层d、OC1层f、OC2层g、TFE层h、CG层i、CF层j。\n[0029] 所述的CMOS基板a一侧设置阳极Anode，阳极Anode上设置PDL层c，PDL 层c分为三层，第一层为聚酰亚胺或无机层，其中无机层包括但不限于SiN或 SiO或SiON，第一层厚度为50nm‑500nm，第二层为Ag，第二层厚度为5nm‑100nm，第三层为聚酰亚胺或无机层，其中无机层包括但不限于SiN、SiO、SiON，第三层厚度为50nm‑500nm。\n[0030] 所述的阳极Anode上设置OLED层d，OLED层d上设置TFE层h，TFE层h 表面依次设置OC1层f、CF层j、OC2层g。\n[0031] 所述的OC2层g表面设置CG层i。\n[0032] 本实用新型所述的Micro OLED器件结构，针对现有技术中的器件结构的发光层与彩胶层(CF)之间间隔有TFE层、OC层，距离较远，容易发生串光的现象，导致偏色、色域降低等问题的技术问题而提出改进。本实用新型通过在PDL 层内部设置反射层：将PDL分成三层，中间一层的Ag为反射层，反射层能够将斜射的光线反射回去。这样的结构，能够减轻出光的散射效应，达到降低串光的效果。本实用新型所述的Micro OLED器件结构，步骤简单，通过局部结构改进，在PDL层内部设置反射层，将PDL分成三层，使得反射层能够将斜射的光线反射回去，减轻出光的散射效应，达到降低串光的效果，提高产品整体性能。\n[0033] 上面结合附图对本实用新型进行了示例性的描述，显然本实用新型具体的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本实用新型的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本实用新型的构思和技术方案直接应用于其他场合的，均在本实用新型的保护范围内。

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