增强散热Cu-Cu2O核壳纳米线阵列自保护电极及制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910958729.2
IPC分类号：B81B7/04B81C1/00
申请日期：
2019-10-10
申请人：
北京航空航天大学杭州创新研究院;北京信息科技大学

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专利名称	增强散热Cu-Cu2O核壳纳米线阵列自保护电极及制备方法
申请号	CN201910958729.2	申请日期	2019-10-10
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-01-10	公开/公告号	CN110668392A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81B7/04 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81B 微观结构的装置或系统，例如微观机械装置（压电元件、电致伸缩元件或磁致伸缩元件本身入H01L41/00）〔7〕 B81B7/00 微观结构系统〔7，2006.01〕 B81B7/04 类似的微观结构装置的网络或排列〔7，2006.01〕	IPC分类号	B81B7/04;B81C1/00查看分类表>
申请人	北京航空航天大学杭州创新研究院;北京信息科技大学	申请人地址	浙江省杭州市滨江区长河街道创慧街*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京航空航天大学杭州创新研究院,北京信息科技大学	当前权利人	北京航空航天大学杭州创新研究院,北京信息科技大学
发明人	曹丽莉;邓元;祝薇;胡少雄
代理机构	北京细软智谷知识产权代理有限责任公司	代理人	刘静培

摘要

本发明涉及一种增强散热Cu‑Cu2O核壳纳米线阵列自保护电极及其制备方法，通过先对衬底进行预处理后，再沉积Cu膜，之后在有氧环境中进行退火处理，制得Cu‑Cu2O核壳纳米线阵列膜结构中，纳米线之间紧密排列，电学性能大幅提升，适合作为电极材料使用。纳米线阵列膜在面内方向的热导率降低，在面外方向具有接近于块体铜材料的热导率，膜的散热功能好，Cu‑Cu2O核壳结构使纳米线阵列的稳定性增强。本发明所述的Cu‑Cu2O核壳纳米线阵列膜电极，具有抗氧化性能和热导率各向异性，导电性高，热传导性强。方块电阻50‑200mΩ/□，面外热导率270‑378W/mK，面外与面内热导率的比值10‑60。

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