低缺陷密度、理想氧沉淀的硅

发明专利无效专利

申请号：
CN200710089120.3
IPC分类号：C30B33/02;C30B29/06
申请日期：
1998-04-09
申请人：
MEMC电子材料有限公司

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著录项信息

专利名称	低缺陷密度、理想氧沉淀的硅
申请号	CN200710089120.3	申请日期	1998-04-09
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-11-14	公开/公告号	CN101070621
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B33/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B33/00 单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理（C30B 31/00优先）〔3，5〕 C30B33/02 热处理（C30B 33/04、C30B 33/06优先）〔5〕	IPC分类号	C;3;0;B;3;3;/;0;2;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	MEMC电子材料有限公司	申请人地址	美国密苏里州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	MEMC电子材料有限公司	当前权利人	MEMC电子材料有限公司
发明人	R·法尔斯特;S·A·马克格拉夫;S·A·麦克奎德;J·C·侯泽;P·穆提;B·K·约翰逊;M·科纳拉;D·甘巴罗;M·欧默
代理机构	北京市中咨律师事务所	代理人	马江立;吴鹏

摘要

一种单晶硅晶片，在基本上任何电子器件制造工艺的热处理周期中将形成理想的非均匀深度分布的氧沉淀。该晶片的特征在于，具有非均匀分布的晶格空位，本体层中空位的浓度大于表面层中空位的浓度，空位的浓度分布为空位的峰值密度处于或靠近中心平面，该浓度一般在晶片正面方向从峰值密度下降。在一个实施例中，晶片的特征还在于，具有第一轴对称区，其中空位为主要本征点缺陷，且基本上没有聚集的本征点缺陷，其中第一轴对称区包括中心轴或其宽度至少为约15mm。在另一实施例中，晶片的特征还在于，具有基本上没有聚集本征点缺陷的轴对称区，该轴对称区从晶片的周边径向向内延伸，从周边径向向中心轴测量其宽度至少为晶片半径长度的约40％。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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