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半导体制造过程中的决定方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202080011275.9
IPC分类号：G03F7/20;G05B23/02;G05B19/418
申请日期：
2020-01-09
申请人：
ASML荷兰有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体制造过程中的决定方法
申请号	CN202080011275.9	申请日期	2020-01-09
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-07	公开/公告号	CN113366390A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F7/20 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F7/00 图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备（用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置，例如，B44C，H01L，例如，H01L 21/00，H05K）〔3，5〕 G03F7/20 曝光及其设备（复制用照相印制设备入G03B 27/00）〔4〕	IPC分类号	G;0;3;F;7;/;2;0;;;G;0;5;B;2;3;/;0;2;;;G;0;5;B;1;9;/;4;1;8查看分类表>
申请人	ASML荷兰有限公司	申请人地址	荷兰维德霍温变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	ASML荷兰有限公司	当前权利人	ASML荷兰有限公司
发明人	A·胡包克斯;J·F·M·贝克尔斯;D·J·D·戴维斯;J·G·C·昆尼;W·R·彭格斯;A·R·戴韦尔;李忠勳;G·齐萝扬尼斯;H·C·A·博格;F·E·德荣格;J·M·冈萨雷斯韦斯卡;A·V·霍洛德;M·皮萨连科
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	胡良均

摘要

描述了一种用于对经历包括多个操作的半导体制造过程的衬底进行分类的方法，该方法包括：获得从在对衬底的多个操作中的一个或多个操作期间生成的数据中得出的功能指示器的值，功能指示器表征至少一个操作；将包括一个或多个阈值的决定模型应用于功能指示器的值以获得一个或多个分类指示器；以及基于一个或多个分类指示器为衬底分配类别。

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