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具有径向未对准补偿的分子粘附结合方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110126409.4
IPC分类号：H01L21/68
申请日期：
2011-05-11
申请人：
S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有径向未对准补偿的分子粘附结合方法
申请号	CN201110126409.4	申请日期	2011-05-11
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2012-01-11	公开/公告号	CN102315149A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/68 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕 H01L21/68 用于定位、定向或对准的〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;8查看分类表>
申请人	S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	索尼半导体解决方案公司	当前权利人	索尼半导体解决方案公司
发明人	G·戈丹
代理机构	北京戈程知识产权代理有限公司	代理人	程伟;孙向民

摘要

本发明涉及一种具有径向未对准补偿的分子粘附结合方法。一种通过分子粘附将第一晶片(100)结合到第二晶片(200)上的方法，所述晶片之间具有初始径向未对准，所述方法至少包括一个使所述两个晶片(100，200)接触从而启动所述两个晶片之间的结合波的传播的步骤。根据本发明，在所述接触步骤期间，根据所述初始径向未对准在所述两个晶片中的至少一个上施加预定结合曲率(KB)。

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