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一种超薄二维纳米片层NiCo-MOF材料、其制备方法和应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110434511.4
  • IPC分类号:H01G11/30;H01G11/36;H01G11/86
  • 申请日期:
    2021-04-22
  • 申请人:
    中国科学院过程工程研究所
著录项信息
专利名称一种超薄二维纳米片层NiCo-MOF材料、其制备方法和应用
申请号CN202110434511.4申请日期2021-04-22
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-05-25公开/公告号CN112837943A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01G11/30IPC分类号H;0;1;G;1;1;/;3;0;;;H;0;1;G;1;1;/;3;6;;;H;0;1;G;1;1;/;8;6查看分类表>
申请人中国科学院过程工程研究所申请人地址
北京市海淀区中关村北二条1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院过程工程研究所当前权利人中国科学院过程工程研究所
发明人胡超权;许雪冰;邵明远
代理机构北京品源专利代理有限公司代理人巩克栋
摘要
本发明公开了一种超级电容器用超薄二维纳米片状材料Ni‑Co‑MOF的制备方法。利用金属盐和咪唑类化合物为原料,在水中溶解后在一定温度下进行反应,通过调控反应物之间的比例和反应条件制得超薄二维纳米金属有机框架材料。该方法绿色环保,过程简单,所得电极材料具有良好的电化学性能。

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