发光二极管和发光二极管制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201911119307.2
IPC分类号：H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00
申请日期：
2019-11-15
申请人：
芜湖德豪润达光电科技有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	发光二极管和发光二极管制备方法
申请号	CN201911119307.2	申请日期	2019-11-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-02-28	公开/公告号	CN110854246A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/04 具有一个量子效应结构或超晶格，例如隧道结〔2010.01〕 H01L33/06 在发光区中，例如量子限制结构或隧道势垒〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;3;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	芜湖德豪润达光电科技有限公司	申请人地址	安徽省芜湖市经济技术开发区纬二次路11号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	芜湖德豪润达光电科技有限公司	当前权利人	芜湖德豪润达光电科技有限公司
发明人	王晟
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	石慧

摘要

本申请提供一种发光二极管和发光二极管制备方法。每个子层结构包括第一量子阱结构以及多个第二量子阱结构。第一量子阱结构替换传统的量子垒层结构。多个第二量子阱结构设置于第一量子阱结构，形成更深层次的量子阱结构。并且，每个第二量子阱结构的厚度小于第一量子阱结构的厚度，使得第二量子阱结构相比于第一量子阱结构形成窄的量子阱结构。此时，将传统结构中的量子垒替换为所述第一量子阱结构。通过多个第二量子阱结构使得多量子阱层中形成多个子层深窄多量子阱结构，相比于传统的量子阱变得更深，使得量子阱对电子和空穴的限制能力更好，减小发光波长的半宽，产生波色更纯的、发光强度更强的指定波段。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供