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半导体装置及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200880120715.3
  • IPC分类号:H01L23/02;H01L27/14;H01L29/84
  • 申请日期:
    2008-12-12
  • 申请人:
    株式会社藤仓
著录项信息
专利名称半导体装置及其制造方法
申请号CN200880120715.3申请日期2008-12-12
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2010-11-24公开/公告号CN101897018A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/02IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;0;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;4;;;H;0;1;L;2;9;/;8;4查看分类表>
申请人株式会社藤仓申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社藤仓当前权利人株式会社藤仓
发明人山本敏;桥本广和
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人李伟;王轶
摘要
本发明提供半导体装置和其制造方法。本发明的半导体装置的制造方法包括:贴合工序,其将具有光透过性的第一基板和在一面上具有功能元件的第二基板,以上述功能元件与上述第一基板相对的方式贴合;薄板化工序,其使上述第一基板和上述第二基板中的至少一方薄板化;以及贯通孔形成工序,其在上述第一基板和上述第二基板的贴合部的至少一部分,形成空腔和与该空腔连通的贯通孔。根据本发明,能够避免由空腔的有无引起的研削后的凹凸或裂纹的产生,能够使基板更均匀地薄板化。此外,能够以更简便的工序制造能够有助于器件和搭载有它们的电子设备的小型化的半导体装置。

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