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测试结构、其制造方法、测试方法、以及MRAM阵列

发明专利有效专利

申请号：
CN201210111628.X
IPC分类号：H01L23/544;H01L21/66
申请日期：
2012-04-16
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	测试结构、其制造方法、测试方法、以及MRAM阵列
申请号	CN201210111628.X	申请日期	2012-04-16
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2013-06-19	公开/公告号	CN103165581A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/544 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/544 加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;4;4;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	高雅真;江典蔚;林春荣
代理机构	北京德恒律师事务所	代理人	陆鑫;房岭梅

摘要

公开了测试结构、其制造方法、测试方法以及磁性随机存取存储器(MRAM)阵列。在一个实施例中，公开了测试结构。测试结构包括MRAM单元，其具有磁性隧道结(MTJ)和连接至MTJ的晶体管。测试结构包括连接在MTJ与晶体管之间的测试节点以及连接至测试节点的接触焊盘。

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