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垂直沟道有机薄膜晶体管及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710194175.4
  • IPC分类号:H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40
  • 申请日期:
    2017-03-28
  • 申请人:
    武汉华星光电技术有限公司
著录项信息
专利名称垂直沟道有机薄膜晶体管及其制作方法
申请号CN201710194175.4申请日期2017-03-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-07-14公开/公告号CN106953011A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L51/05IPC分类号H;0;1;L;5;1;/;0;5;;;H;0;1;L;5;1;/;1;0;;;H;0;1;L;5;1;/;4;0查看分类表>
申请人武汉华星光电技术有限公司申请人地址
湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉华星光电技术有限公司当前权利人武汉华星光电技术有限公司
发明人刘哲
代理机构深圳市德力知识产权代理事务所代理人林才桂
摘要
本发明提供一种垂直沟道有机薄膜晶体管及其制作方法。所述垂直沟道有机薄膜晶体管包括:环形的有机半导体层、分别与所述环形的有机半导体层上下两侧接触的环形的漏极和环形的源极、以及设于所述环形的有机半导体层的内环内部且与所述环形的有机半导体层绝缘间隔的栅极,可通过改变由溶液法制作的有机半导体层的厚度来改变薄膜晶体管的有效导电沟道长度,进而使得短沟道图形的定义不再依赖于高精度的曝光和刻蚀设备,能够降低制程难度和生产成本,同时环形的电极结构可节省薄膜晶体管的平面空间,增加薄膜晶体管的适用场景,提升电路设计的灵活性。

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