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一种砷化镓基高电压黄绿光发光二极管芯片及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610191079.X
  • IPC分类号:H01L33/14;H01L33/30;H01L33/00
  • 申请日期:
    2016-03-30
  • 申请人:
    扬州乾照光电有限公司
著录项信息
专利名称一种砷化镓基高电压黄绿光发光二极管芯片及其制作方法
申请号CN201610191079.X申请日期2016-03-30
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2016-06-22公开/公告号CN105702822A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/14IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;1;4;;;H;0;1;L;3;3;/;3;0;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人扬州乾照光电有限公司申请人地址
江苏省扬州市维扬路108号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人扬州乾照光电有限公司当前权利人扬州乾照光电有限公司
发明人赵宇;林鸿亮;张双翔;杨凯;何胜;李洪雨;田海军
代理机构扬州市锦江专利事务所代理人江平
摘要
一种砷化镓基高电压黄绿光发光二极管芯片及其制作方法,属于光电子技术领域,特点是在p型载流子限制层上依次沉积形成GaP电阻层和GaP窗口层,形成的产品在p型载流子限制层和GaP窗口层之间还设置了GaP电阻层。本发明制作工艺简单、合理,制成的产品优质、稳定。在不牺牲产品可靠性的同时将串联电阻集成在LED芯片中,在20 mA工作电流条件下,7 mil ×7 mil尺寸LED芯片的工作电压可达2.35 V以上,可以直接使用与GaP基二元系高电压黄绿光LED兼容的驱动电路。

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