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正入射式光电芯片及其封装结构

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201822196276.8
  • IPC分类号:H01L31/0216;H01L31/0232;G02B6/125
  • 申请日期:
    2018-12-25
  • 申请人:
    深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司
著录项信息
专利名称正入射式光电芯片及其封装结构
申请号CN201822196276.8申请日期2018-12-25
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0216IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;3;2;;;G;0;2;B;6;/;1;2;5查看分类表>
申请人深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司申请人地址
广东省深圳市南山区学苑大道1001号南山智园A5栋4楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人芯思杰技术(深圳)股份有限公司当前权利人芯思杰技术(深圳)股份有限公司
发明人杨彦伟;刘宏亮;刘格;邹颜
代理机构深圳智汇远见知识产权代理有限公司代理人田俊峰
摘要
本实用新型涉及光通信传输技术领域,本实用新型提供了一种正入射式光电芯片及其封装结构,一种正入射光电芯片,包括衬底、吸收层和顶层,吸收层位于衬底和顶层之间,顶层相对衬底更靠近芯片的正面;芯片上开设分光孔,分光孔贯穿吸收层;芯片的正面上还设有吸光区和第一电极,第一电极位于吸光区的外侧;以芯片的正面为入光侧,入射光的一部分从分光孔透射分出,入射光的另一部分从吸光区进入到吸收层内进行光电转换;故本实用新型提供的正入射式光电芯片既能够分光,又能够对入射光的光功率进行监控;进而使用本实用新型提供的芯片的光路系统,无须使用光分路器进行分光,减少了系统体积,也降低了成本。

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