监控退火机台温度的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200910109901.3
IPC分类号：H01L21/00;H01L21/66
申请日期：
2009-10-30
申请人：
无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司

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引证文献

著录项信息

专利名称	监控退火机台温度的方法
申请号	CN200910109901.3	申请日期	2009-10-30
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2011-05-11	公开/公告号	CN102054655A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人	无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司	申请人地址	江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	无锡华润上华科技有限公司	当前权利人	无锡华润上华科技有限公司
发明人	周祖源;孟昭生;李健
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	何平

摘要

本发明涉及一种监控退火机台温度的方法，其特征在于包括下列步骤：在晶圆片表面形成钴金属层，与钴金属保护层；对所述晶圆片进行退火工艺，以形成钴硅化物层；对所述晶圆片进行刻蚀工艺，移除未反应形成钴硅化物层的所述钴金属层后，测量所述钴硅化物层的电阻值；根据电阻值与温度值的对应关系数据库，得出监控温度值，再根据该监控温度值监控退火机台温度。采用上述监控退火机台温度的方法，利用钴硅化物方块电阻对退火机台的敏感温度为500℃～900℃的特性，实现了退火机台低温监控，且能够客观的反映退火机台低温制程的稳定性；采用沉淀法沉积金属，能够容易控制方块电阻的均匀性和容易调整温度的均匀性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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