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In2O3-SnO2-ZnO系溅射靶

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201280022388.4
  • IPC分类号:C23C14/34;C04B35/00;C04B35/453;H01B5/14;H01L21/363
  • 申请日期:
    2012-05-07
  • 申请人:
    出光兴产株式会社
著录项信息
专利名称In2O3-SnO2-ZnO系溅射靶
申请号CN201280022388.4申请日期2012-05-07
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-01-22公开/公告号CN103534382A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/34IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;C;0;4;B;3;5;/;0;0;;;C;0;4;B;3;5;/;4;5;3;;;H;0;1;B;5;/;1;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;6;3查看分类表>
申请人出光兴产株式会社申请人地址
日本国东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人出光兴产株式会社当前权利人出光兴产株式会社
发明人糸濑将之;西村麻美;砂川美佐;笠见雅司;矢野公规
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人蒋亭
摘要
本发明提供一种溅射靶,其包含氧化物,所述氧化物含有铟元素(In)、锡元素(Sn)及锌元素(Zn)、和选自下述的X组中的1种以上的元素X,各元素的原子比满足下述式(1)~(4)。X组:Mg、Si、Al、Sc、Ti、Y、Zr、Hf、Ta、La、Nd、Sm0.10≤In/(In+Sn+Zn)≤0.85(1);0.01≤Sn/(In+Sn+Zn)≤0.40(2);0.10≤Zn/(In+Sn+Zn)≤0.70(3);0.70≤In/(In+X)≤0.99(4)(式中,In、Sn、Zn及X分别表示溅射靶中的各元素的原子比)。

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