In2O3－SnO2－ZnO系溅射靶

发明专利有效专利

申请号：
CN201280022388.4
IPC分类号：C23C14/34;C04B35/00;C04B35/453;H01B5/14;H01L21/363
申请日期：
2012-05-07
申请人：
出光兴产株式会社

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著录项信息

专利名称	In2O3－SnO2－ZnO系溅射靶
申请号	CN201280022388.4	申请日期	2012-05-07
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-01-22	公开/公告号	CN103534382A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/34 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;C;0;4;B;3;5;/;0;0;;;C;0;4;B;3;5;/;4;5;3;;;H;0;1;B;5;/;1;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;6;3查看分类表>
申请人	出光兴产株式会社	申请人地址	日本国东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	出光兴产株式会社	当前权利人	出光兴产株式会社
发明人	糸濑将之;西村麻美;砂川美佐;笠见雅司;矢野公规
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	蒋亭

摘要

本发明提供一种溅射靶，其包含氧化物，所述氧化物含有铟元素（In）、锡元素（Sn）及锌元素（Zn）、和选自下述的X组中的1种以上的元素X，各元素的原子比满足下述式（1）～（4）。X组：Mg、Si、Al、Sc、Ti、Y、Zr、Hf、Ta、La、Nd、Sm0.10≤In/（In＋Sn＋Zn）≤0.85（1）；0.01≤Sn/（In＋Sn＋Zn）≤0.40（2）；0.10≤Zn/（In＋Sn＋Zn）≤0.70（3）；0.70≤In/（In＋X）≤0.99（4）（式中，In、Sn、Zn及X分别表示溅射靶中的各元素的原子比）。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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