去除硅砂表面薄膜铁的草酸浸出法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610102170.6
IPC分类号：C01B33/113
申请日期：
2006-11-17
申请人：
燕山大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	去除硅砂表面薄膜铁的草酸浸出法
申请号	CN200610102170.6	申请日期	2006-11-17
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2007-05-16	公开/公告号	CN1962437
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B33/113 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B33/00 硅；其化合物（C01B 21/00，C01B 23/00优先；过硅酸盐入 C01B 15/14；碳化物入C01B32/956）〔1，3，2006.01〕 C01B33/113 氧化硅；其水合物〔3〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;3;/;1;1;3查看分类表>
申请人	燕山大学	申请人地址	河北省秦皇岛市海港区河北大街438号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	燕山大学	当前权利人	燕山大学
发明人	赵洪力
代理机构	秦皇岛市维信专利事务所	代理人	鄂长林

摘要

本发明公开一种去除硅砂表面薄膜铁的草酸浸出法，其特征是：将含有表面薄膜铁的硅砂置于草酸溶液中，草酸溶液的浓度为1～10％，草酸溶液与硅砂的质量比应大于100∶100，加热至80～90℃，适当加以搅拌，经过1～5小时后，硅砂表面的薄膜铁被草酸溶解下来形成了草酸铁，再进行固液分离、并用清水洗涤过滤，即可得到表面干净的硅砂产品。该方法不仅可以彻底去除薄膜铁、使硅砂含铁量大大降低，而且操作安全、对环境无害。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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