化合物半导体衬底、半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200980130082.9
IPC分类号：C30B29/38
申请日期：
2009-01-26
申请人：
住友电气工业株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	化合物半导体衬底、半导体器件及其制造方法
申请号	CN200980130082.9	申请日期	2009-01-26
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-06-29	公开/公告号	CN102112666A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/38 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/38 氮化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;8查看分类表>
申请人	住友电气工业株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	住友电气工业株式会社	当前权利人	住友电气工业株式会社
发明人	石桥惠二;中西文毅
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	王海川;穆德骏

摘要

本发明的化合物半导体衬底(10)由Ⅲ族氮化物构成且表面具有表面层(12)，该表面层(12)含有以Cl换算为200×1010个/cm2以上且12000×1010个/cm2以下的氯化物、和以O换算为3.0原子％以上且15.0原子％以下的氧化物。本发明人经过深入研究，结果新发现：当化合物半导体衬底(10)的表面的表面层(12)含有以Cl换算为200×1010个/cm2以上且12000×1010个/cm2以下的氯化物和以O换算为3.0原子％以上且15.0原子％以下的氧化物时，化合物半导体衬底(10)与形成于其上的外延层(14)之间的界面处的Si减少，结果界面处的电阻降低。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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