首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

用于制作具有台阶式侧壁的IC的方法及相关IC器件

发明专利无效专利

申请号：
CN201610192171.8
IPC分类号：H01L21/56;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/498
申请日期：
2016-03-30
申请人：
意法半导体公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于制作具有台阶式侧壁的IC的方法及相关IC器件
申请号	CN201610192171.8	申请日期	2016-03-30
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-03-29	公开/公告号	CN106548950A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/56 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕 H01L21/56 封装，例如密封层、涂层〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;8查看分类表>
申请人	意法半导体公司	申请人地址	菲律宾内湖省变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	意法半导体公司	当前权利人	意法半导体公司
发明人	B·C·巴奎安;F·阿雷拉诺;A·M·阿谷唐
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	王茂华;吕世磊

摘要

一种方法用于制作集成电路(IC)器件。该方法可以包括：将晶片划切成多个IC裸片，每个IC裸片具有活性表面、与该活性表面相反的后表面以及具有台阶的侧壁，其中，该台阶限定了与该后表面相邻的较小周边以及与该活性表面相邻的较大周边。该方法可以包括：在每个IC裸片的后表面与对应的衬底之间、并围绕每个IC裸片安置树脂材料，从而使得该树脂材料紧靠着该台阶并由该台阶保持住。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供