一种互补金属氧化物半导体全集成71-76GHzLC压控振荡器

发明专利无效专利

申请号：
CN201510360577.8
IPC分类号：H03B5/32
申请日期：
2015-06-26
申请人：
华东师范大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种互补金属氧化物半导体全集成71-76GHzLC压控振荡器
申请号	CN201510360577.8	申请日期	2015-06-26
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-09-16	公开/公告号	CN104917463A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03B5/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03B 使用工作于非开关状态的有源元件电路，直接或经频率变换产生振荡；由这样的电路产生噪声（特别用于电子乐器的发生器入G10H；微波激射器或激光器入H01S；等离子体振荡的产生入H05H） H03B5/00 利用由输出至输入有正反馈的放大器产生振荡（H03B 9/00，H03B 15/00优先） H03B5/30 确定频率的元件是机电谐振器 H03B5/32 为压电谐振器	IPC分类号	H;0;3;B;5;/;3;2查看分类表>
申请人	华东师范大学	申请人地址	上海市闵行区东川路500号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华东师范大学	当前权利人	华东师范大学
发明人	石春琦;张润曦;严一宇;赖宗声;张健
代理机构	上海蓝迪专利事务所	代理人	徐筱梅;张翔

摘要

本发明公开了一种互补金属氧化物半导体全集成71-76GHz LC压控振荡器，采用差分NMOS交叉耦合结构实现，与PMOS交叉耦合结构相比，贡献的寄生电容较小，因而能够获得更高的振荡频率。此外，压控振荡器中的差分电感采用U形传输线差分电感，具有较小的感值，可以进一步提高振荡频率。本发明的振荡电路，其调谐范围为70.97-76.76GHz，在中心频率73.86GHz下，1MHz和10MHz频偏处相位噪声分别为-89.47dBc/Hz和-116.2dBc/Hz，功耗为10.8毫瓦。可作为E-band无线通信系统的本振信号源，也可作为频率综合器中的压控振荡器使用。

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