静电放电电路及其控制方法、电源开关电路

发明专利有效专利

申请号：
CN202110782369.2
IPC分类号：H02H9/04;H01L23/60
申请日期：
2018-09-28
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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著录项信息

专利名称	静电放电电路及其控制方法、电源开关电路
申请号	CN202110782369.2	申请日期	2018-09-28
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-10-22	公开/公告号	CN113541115A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H02H9/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H02 发电、变电或配电 H02H 紧急保护电路装置（指示或警报意外工作情况的入G01R，例如G01R 31/00，G08B；沿线测定故障位置入G01R 31/08；紧急保护装置入H01H） H02H9/00 用于限制过电流或过电压而不切断电路的紧急保护电路装置（保护装置与特种机械或设备的结构组合见该机械或设备的有关小类） H02H9/04 对过电压响应的（避雷器入H01C7/12，H01C 8/04，H01G 9/18，H01T）	IPC分类号	H;0;2;H;9;/;0;4;;;H;0;1;L;2;3;/;6;0查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	陈柏宏;陈国基;周绍禹
代理机构	北京派特恩知识产权代理有限公司	代理人	薛恒;徐川

摘要

本发明的实施例提供一种静电放电电路包括：NMOS晶体管的串接，包括可操作地串接到第二NMOS晶体管的第一NMOS晶体管；第一单栅氧化层静电放电控制电路，耦合到第一NMOS晶体管并配置成在静电放电事件期间导通第一NMOS晶体管，第一单栅氧化层控制电路耦合到第一NMOS晶体管在第一电压处的总线和第二电压的第一节点；第二单栅氧化层静电放电控制电路，其可操作地耦合到第二NMOS晶体管并且被配置为在静电放电事件期间导通第二NMOS晶体管并且在正常操作期间关断第二NMOS；和分压电路，可操作地连接到第一电压的第一总线和接地电压的第二总线。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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