单晶薄膜键合体及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510891747.5
IPC分类号：C23C14/22;C23C16/513;C30B23/02;C30B25/02;H01L21/304
申请日期：
2015-12-04
申请人：
济南晶正电子科技有限公司

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著录项信息

专利名称	单晶薄膜键合体及其制造方法
申请号	CN201510891747.5	申请日期	2015-12-04
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2016-03-23	公开/公告号	CN105420674A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/22 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;2;2;;;C;2;3;C;1;6;/;5;1;3;;;C;3;0;B;2;3;/;0;2;;;C;3;0;B;2;5;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;4查看分类表>
申请人	济南晶正电子科技有限公司	申请人地址	山东省济南市高新区舜华路750号B303-1 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	济南晶正电子科技有限公司	当前权利人	济南晶正电子科技有限公司
发明人	胡文
代理机构	北京铭硕知识产权代理有限公司	代理人	王占杰

摘要

本发明提供了一种单晶薄膜键合体和一种制造单晶薄膜键合体的方法，所述单晶薄膜键合体包括硅基底、铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜以及位于硅基底与铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜之间的硅基薄膜，其中，硅基薄膜通过沉积形成在铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜上，并通过直接键合法与硅基底进行键合，硅基薄膜为硅薄膜、二氧化硅薄膜或氮化硅薄膜。本发明的三层结构的单晶薄膜键合体能够有效地降低甚至消除在钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜和硅基板之间的界面对光波和声波的反射作用，并且降低或消除了界面间的反射作用对于光或声波信号所造成的干扰。

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