LED晶粒、LED车灯及LED晶粒的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210563734.1
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/00;F21V5/04;F21W101/02;F21Y101/02
申请日期：
2012-12-24
申请人：
鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司

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著录项信息

专利名称	LED晶粒、LED车灯及LED晶粒的制造方法
申请号	CN201210563734.1	申请日期	2012-12-24
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-06-25	公开/公告号	CN103887401A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;F;2;1;V;5;/;0;4;;;F;2;1;W;1;0;1;/;0;2;;;F;2;1;Y;1;0;1;/;0;2查看分类表>
申请人	鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司	申请人地址	广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	鸿富锦精密工业（深圳）有限公司,鸿海精密工业股份有限公司	当前权利人	鸿富锦精密工业（深圳）有限公司,鸿海精密工业股份有限公司
发明人	赖志成
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

一种LED晶粒，包括一透明基板，依次形成于所述透明基板一侧表面的第一半导体层、活性层及第二半导体层，所述第一半导体层表面部分外露，所述LED晶粒还包括分别与第二半导体层表面和外露部分的第一半导体层表面电连接的电极结构，所述透明基板的另一侧表面形成具有凹面的光出射面。本发明还提供一种具有该晶粒的LED车灯及该LED晶粒的制造方法。与现有技术相比，具有该LED晶粒的LED车灯无需设置反射罩体，LED晶粒的光出射面经激光激发形成凹面，使得光线集中自该凹面出射，使得具有该晶粒的LED车灯的体积较小，且制造成本相对较低。

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