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外延基底和半导体元件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510099023.3
  • IPC分类号:H01L29/38;H01L29/417;H01L29/861;H01L29/772;H01L29/732
  • 申请日期:
    2005-08-31
  • 申请人:
    住友电气工业株式会社
著录项信息
专利名称外延基底和半导体元件
申请号CN200510099023.3申请日期2005-08-31
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2006-03-08公开/公告号CN1744326
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/38IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;3;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;1;7;;;H;0;1;L;2;9;/;8;6;1;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;2;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;2查看分类表>
申请人住友电气工业株式会社申请人地址
日本大阪府 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人住友电气工业株式会社当前权利人住友电气工业株式会社
发明人木山诚;冈久拓司;樱田隆
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人程金山
摘要
在肖特基二极管11中,氮化镓支撑底板13包括第一表面13a和与第一表面相反的第二表面13b,其载流子浓度大于1×1018cm-3。氮化镓外延层15放置在第一表面13a上。欧姆电极17放置在第二表面13b上。肖特基电极19放置在氮化镓外延层15上。氮化镓外延层15的厚度D1至少是5微米,但不大于1000微米。另外,氮化镓外延层15的载流子密度至少是1×1014cm-3,但不大于1×1017cm-3。

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