Si掺杂氮化镓/金属负极电池材料及其制备方法、锂电池

发明专利有效专利

申请号：
CN201710248369.8
IPC分类号：H01M4/58;H01M10/0525
申请日期：
2017-04-14
申请人：
中国科学院半导体研究所

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专利名称	Si掺杂氮化镓/金属负极电池材料及其制备方法、锂电池
申请号	CN201710248369.8	申请日期	2017-04-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-07-07	公开/公告号	CN106935852A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01M4/58 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01M 用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组〔2〕（一般电化学的方法或装置入C25；用于转变光或热为电能的半导体或其他固态器件入H01L，例如H01L 31/00，H01L 35/00，H01L 37/00）〔2〕 H01M4/00 电极〔2〕 H01M4/02 由活性材料组成或包括活性材料的电极〔2〕 H01M4/36 作为活性物质、活性体、活性液体的材料的选择〔2〕 H01M4/58 除氧化物或氢氧化物以外的无机化合物的，例如硫化物、硒化物、碲化物、氯化物或LiCoFy的；聚阴离子结构的，例如磷酸盐、硅酸盐或硼酸盐的〔2，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;M;4;/;5;8;;;H;0;1;M;1;0;/;0;5;2;5查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	黄鹏;李洋;袁国栋;李晋闽
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	任岩

摘要

本发明提供了一种Si掺杂氮化镓/金属负极电池材料及其制备方法、锂电池。上述Si掺杂氮化镓/金属负极电池材料包括：金属衬底；以及形成于金属衬底上方的Si掺杂氮化镓薄膜，具有疏松多孔结构，为晶态与非晶态的混合态。Si掺杂氮化镓/金属负极电池材料的比表面积较大，并且Si3N4四面体结构及Si3N4四面体与Ga原子构成的稳定的开放性三维框架结构，在增强锂离子输运效率的同时也避免了在锂离子嵌入脱出过程中因结构坍塌导致的电化学活性降低问题，具有较高的储锂容量和稳定的循环特性，为发展高性能锂电池提供了新的选择。

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