偏置电路

发明专利有效专利

申请号：
CN201210209701.7
IPC分类号：H03F1/30;H03F3/45
申请日期：
2012-06-20
申请人：
半导体元件工业有限责任公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	偏置电路
申请号	CN201210209701.7	申请日期	2012-06-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-12-26	公开/公告号	CN102843103A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03F1/30 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03F 放大器（测量、试验入G01R；光参量放大器入G02F；具有二次发射管的电路装置入H01J 43/30；微波激射器，激光器入H01S；电动放大器入H02K；放大的控制入H03G；与放大器特性无关的耦合装置，分压器入H03H；只能处理脉冲的放大器入H03K；传输线路中的中继器电路入H04B 3/36、H04B 3/58；电话通信中音频放大器的应用入H04M 1/60，H04M 3/40） H03F1/00 只用电子管，只用半导体器件或只用未特别指明的器件作为放大元件的放大器的零部件 H03F1/30 为减少温度变化或电源电压变化的影响对放大器的改进	IPC分类号	H;0;3;F;1;/;3;0;;;H;0;3;F;3;/;4;5查看分类表>
申请人	半导体元件工业有限责任公司	申请人地址	美国亚利桑那变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	半导体元件工业有限责任公司	当前权利人	半导体元件工业有限责任公司
发明人	盐田智基
代理机构	北京林达刘知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘新宇

摘要

本发明的偏置电路用于抑制动作晶体管的发射极电压的温度依赖性。将偏置电流Ib经由第一电阻R3、R4和第一晶体管Q7提供给动作晶体管Q8的基极。包括至少一个电流镜电路，与偏置电流Ib相应的对应电流Ib’流过第二晶体管Q3。第三晶体管Q2与第一晶体管共连基极，流过对应电流Ib’，第二电阻R2得到与上述第一电阻R3中的压降对应的压降。第四晶体管Q1在发射极侧接收基准电压Vref，基极与上述第三晶体管Q2的发射极侧相连接。通过第四晶体管Q1的1VBE来抵消动作晶体管Q8的1VBE，通过上述第三晶体管Q2的1VBE来抵消第二晶体管Q7的1VBE，由此在动作晶体管Q8的发射极侧设定基准电压Vref。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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