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半导体器件，制造其的方法及发射极与杂质区电连接的IGBT

发明专利有效专利

申请号：
CN201510074493.8
IPC分类号：H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06
申请日期：
2015-02-12
申请人：
英飞凌科技股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件，制造其的方法及发射极与杂质区电连接的IGBT
申请号	CN201510074493.8	申请日期	2015-02-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-08-12	公开/公告号	CN104835839A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/739 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/70 双极器件〔2〕 H01L29/72 晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的〔2〕 H01L29/739 受场效应控制的〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;1;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	英飞凌科技股份有限公司	申请人地址	德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英飞凌科技股份有限公司	当前权利人	英飞凌科技股份有限公司
发明人	T.古特;V.科马尼茨基;D.韦伯
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	蒋骏;徐红燕

摘要

半导体器件，制造其的方法及发射极与杂质区电连接的IGBT。一种半导体器件包括半导体主体，该半导体主体包括第一导电类型的漂移区；第二互补导电类型的发射极区，被配置为把电荷载流子注入到漂移区中；以及发射极电极。发射极电极包括与发射极区直接欧姆接触的金属硅化物层。发射极区的直接邻接金属硅化物层的部分中的净杂质浓度是最多1 x 1017 cm‑3。

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