一种高性能硼掺杂金刚石纳米线的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010193984.5
IPC分类号：C01B32/26;C01B32/28;B82Y40/00;C23C16/01;C23C16/27;C23C16/56
申请日期：
2020-03-19
申请人：
北京科技大学

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专利名称	一种高性能硼掺杂金刚石纳米线的制备方法
申请号	CN202010193984.5	申请日期	2020-03-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-06-05	公开/公告号	CN111232972A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B32/26 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/36 （转入C01B 32/956-C01B 32/991） C01B32/25 金刚石〔2017.01〕 C01B32/26 制备（利用超高压入B01J3/06；通过晶体生长入C30B29/04）〔2017.01〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;2;/;2;6;;;C;0;1;B;3;2;/;2;8;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0;;;C;2;3;C;1;6;/;0;1;;;C;2;3;C;1;6;/;2;7;;;C;2;3;C;1;6;/;5;6查看分类表>
申请人	北京科技大学	申请人地址	北京市海淀区学院路30号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京科技大学	当前权利人	北京科技大学
发明人	刘金龙;刘彦辉;李成明;原晓芦;魏俊俊;陈良贤;安康
代理机构	北京市广友专利事务所有限责任公司	代理人	张仲波

摘要

一种高性能硼掺杂金刚石纳米线的制备方法，属于半导体材料领域。步骤如下：a.利用高本底真空微波等离子体化学气相沉积装置，通过等离子体中引入低浓度硼源实现金刚石膜P型半导体的生长；b.制备态硼掺杂金刚石膜经精细研磨获得低于500nm粗糙度的表面；c.使用电感耦合等离子氧等离子体和氯等离子体对研磨后的金刚石膜进行无掩模刻蚀，制备出硼掺杂金刚石纳米线阵列；d.采用氢等离子体刻蚀处理的方式进行氢化，使硼掺杂金刚石纳米线阵列表面导电；e.对硼掺杂金刚石纳米线阵列进行超声分散并使单根金刚石纳米线吸附在绝缘衬底上，实现单根硼掺杂金刚石纳米线的制备。本发明通过电感耦合等离子体刻蚀制备了金刚石纳米线，提高了比表面积和载流子浓度，提升了金刚石导电性。

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