制造高集成度半导体器件的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN94104480.7
IPC分类号：--
申请日期：
1994-04-08
申请人：
三星电子株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	制造高集成度半导体器件的方法
申请号	CN94104480.7	申请日期	1994-04-08
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1995-02-15	公开/公告号	CN1098821
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	安太赫;南仁浩;尹宙永
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王以平

摘要

一种制造高集成度半导体存储器件的方法。在半导体衬底上形成第一导电层，于其上形成一第一图形。在已形成有第一图形的结构上形成第一材料层，并对其进行各向异性腐蚀以在第一图形侧面上形成分隔层。用分隔层作腐蚀掩模对第一导电层进行腐蚀后清除第一图形。在所得结构上形成第二导电层并对其进行各向异性腐蚀。清除分隔层以形成电容器的存储电极。相邻电容器之间的距离可小于光刻工艺所限定的值，从而可使电容器的面积尽可能大。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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