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一种高电子迁移率晶体管

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201710885203.7
  • IPC分类号:H01L29/778
  • 申请日期:
    2017-09-26
  • 申请人:
    南京誉凯电子科技有限公司
著录项信息
专利名称一种高电子迁移率晶体管
申请号CN201710885203.7申请日期2017-09-26
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2019-04-02公开/公告号CN109560130A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/778
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;7;8查看分类表>
申请人南京誉凯电子科技有限公司申请人地址
江苏省南京市雨花台区板桥街道振兴路59号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南京誉凯电子科技有限公司当前权利人南京誉凯电子科技有限公司
发明人刘梅
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明属于半导体器件领域,特别涉及一种高电子迁移率晶体管。针对氮化镓基高电子迁移率晶体管的自热效应进行优化设计,其技术方案为:一种高电子迁移率晶体管,包括衬底、衬底以上依次生长的成核层、沟道层、势垒层,以及势垒层上的源极、栅极、漏极、源极与栅极之间及栅极与漏极之间的钝化层;其特征在于,栅极与钝化层之间还设有高热导率材料层,高热导率材料层与势垒层接触。本发明通过高热导率材料层将栅极附近有源区的热能传导到器件的表面,从而有效降低器件有源区的温度,实现器件沟道温度的降低,改善器件的电气特性,使得器件可以在更高温度、更高功率下正常工作,提高器件的可靠性。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供