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一种石墨烯/铜纳米线复合导电材料与制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110057896.3
  • IPC分类号:H01B1/02;H01B1/04;H01B13/00
  • 申请日期:
    2011-03-10
  • 申请人:
    中国科学院上海硅酸盐研究所
著录项信息
专利名称一种石墨烯/铜纳米线复合导电材料与制备方法
申请号CN201110057896.3申请日期2011-03-10
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-09-07公开/公告号CN102176338A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01B1/02IPC分类号H;0;1;B;1;/;0;2;;;H;0;1;B;1;/;0;4;;;H;0;1;B;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人中国科学院上海硅酸盐研究所申请人地址
上海市长宁区定西路1295号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院上海硅酸盐研究所当前权利人中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人黄富强;毕辉;梁军;林天全
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人彭茜茜;白益华
摘要
本发明提供一种复合导电材料,所述复合导电材料为石墨烯/铜纳米线复合导电材料,包括:石墨烯、铜纳米线和粘接剂;其中铜纳米线占石墨烯重量的重量分数为1%-99%,所述粘接剂占石墨烯/铜纳米线总重量的重量分数为1%-50%;所述石墨烯层数为1~20,石墨烯面积大小为1~2500μm2;所述铜纳米线的长径比为10~10000。本发明还提供所述复合导电材料的制备方法以及含有该复合导电材料的背电极。本发明提供了一种低成本、电学性能优异、可大规模生产的复合导电材料。

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