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一种GaN沟道MOS界面结构

发明专利无效专利

申请号：
CN201611141138.9
IPC分类号：H01L29/423;H01L29/51;H01L29/778
申请日期：
2016-12-12
申请人：
东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种GaN沟道MOS界面结构
申请号	CN201611141138.9	申请日期	2016-12-12
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-05-31	公开/公告号	CN106783976A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/423 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/40 按其电极特征区分的〔2〕 H01L29/41 以其形状、相对尺寸或位置为特征的〔6〕 H01L29/423 不通有待整流、放大或切换电流的〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;5;1;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8查看分类表>
申请人	东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院	申请人地址	广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区新竹路4号新竹苑13栋6楼607室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东莞市广信知识产权服务有限公司,东莞华南设计创新院	当前权利人	东莞市广信知识产权服务有限公司,东莞华南设计创新院
发明人	刘丽蓉;王勇;丁超
代理机构	深圳市智圈知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	韩绍君

摘要

本发明公布了一种GaN沟道MOS界面结构，其结构依次为：一P型掺杂的氮化镓沟道层，一在氮化镓沟道层上生长的AlON界面层；一在该AlON界面层上生长的HfAlON介质过渡层；一在该HfAlON介质过渡层上沉积的20纳米HfO2高介电常数栅介质层；以及在该HfO2高介电常数栅介质层上沉积的WSi栅金属层。

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