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一种提升p型多晶碲化铋材料性能的方法以及制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110416436.9
IPC分类号：H01L35/34;H01L35/16
申请日期：
2021-04-19
申请人：
武汉理工大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种提升p型多晶碲化铋材料性能的方法以及制备方法
申请号	CN202110416436.9	申请日期	2021-04-19
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-23	公开/公告号	CN113161473A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L35/34 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L35/00 包含有一个不同材料结点的热电器件，即显示出具有或不具有其他热电效应或其他热磁效应的Seebeck效应或Peltier 效应的热电器件；专门适用于制造或处理这些热电器件或其部件的方法或设备；这些热电器件的零部件（由一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L35/34 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;5;/;3;4;;;H;0;1;L;3;5;/;1;6查看分类表>
申请人	武汉理工大学	申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞狮路122号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉理工大学	当前权利人	武汉理工大学
发明人	唐新峰;张政楷;苏贤礼;陶奇睿;唐昊
代理机构	湖北武汉永嘉专利代理有限公司	代理人	张秋燕

摘要

本发明公开了一种提升p型多晶碲化铋材料性能的方法，将p型多晶Bi2Te3化合物粉体置于非氧气气氛中放置一段时间，驱离粉体表面吸附的氧气，然后再进行放电等离子烧结，从而得到高性能p型多晶Bi2Te3热电材料。本发明通过复原材料在破碎过程中产生的缺陷，避免氧元素与材料反应降低载流子浓度，得到具有较高电导率与热电优值的p型多晶碲化铋材料。

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