低成本宽禁带单晶薄膜的结构及制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210100957.4
IPC分类号：H01L21/02
申请日期：
2012-04-09
申请人：
中国电子科技集团公司第五十五研究所

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著录项信息

专利名称	低成本宽禁带单晶薄膜的结构及制备方法
申请号	CN201210100957.4	申请日期	2012-04-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-08-29	公开/公告号	CN102651309A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H01L21/02查看分类表>
申请人	中国电子科技集团公司第五十五研究所	申请人地址	江苏省南京市中山东路5*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国电子科技集团公司第五十五研究所	当前权利人	中国电子科技集团公司第五十五研究所
发明人	李忠辉
代理机构	南京君陶专利商标代理有限公司	代理人	沈根水

摘要

本发明是低成本宽禁带单晶薄膜的结构及制备方法，其结构是单晶硅衬底上是氮化铝缓冲层；在氮化铝缓冲层上是碳化硅单晶缓冲层；在碳化硅缓冲层上是宽禁带单晶薄膜；其制备工艺：在单晶硅衬底上制备氮化铝缓冲层；降至室温取出；在氮化铝缓冲层上制备碳化硅缓冲层；降至室温取出；在碳化硅缓冲层上制备等宽禁带单晶薄膜；降至室温取出。优点：提高薄膜晶体质量，改善了表面形貌，兼具较好的晶格匹配，较高的导热性，应力释放，阻挡Si扩散等优点。借助单晶Si衬底实现尺寸放大、成本降低等新特点，为低成本宽禁带薄膜的研制开辟了有意义的途径。

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发明授权

低成本宽禁带单晶薄膜的结构及制备方法

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