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用于CMOS工艺的双金属栅极晶体管及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN01811029.0
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L21/8238
  • 申请日期:
    2001-05-10
  • 申请人:
    摩托罗拉公司
著录项信息
专利名称用于CMOS工艺的双金属栅极晶体管及其制造方法
申请号CN01811029.0申请日期2001-05-10
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2003-09-17公开/公告号CN1443367
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;8查看分类表>
申请人摩托罗拉公司申请人地址
美国得克萨斯 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人恩智浦美国有限公司当前权利人恩智浦美国有限公司
发明人素查里塔·马德胡卡;比奇·云·恩古云
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人李强
摘要
公开了一种用于在一个半导体基片(102)中形成第一导电类型的第一晶体管(130)和第二导电类型的第二晶体管(132)的工艺。该基片(102)具有第一导电类型的第一孔道(106)和第二导电类型的第二孔道(104)。一个栅极电介质(108)形成于各孔道上。一层第一金属层(110)然后形成于栅极电介质(108)上。第一金属层(110)中位于第二孔道上的部分然后被去除。然后在各孔道上形成一层不同于所述第一金属的第二金属层(114)并且在第二金属(114)上形成一个栅极掩膜。各金属层(110、114)然后被形成图形以便将第一栅极遗留于第一孔道(106)上及第二栅极遗留于第二孔道(104)上。源极/漏极(138、142)然后被形成于第一(106)和第二(104)孔道上以便形成第一(130)和第二(132)晶体管。

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