双层结构深紫外透明导电膜及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010138222.1
IPC分类号：H01L51/52;H01L51/56;C23C14/35;C23C14/08
申请日期：
2010-03-30
申请人：
鲁东大学

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著录项信息

专利名称	双层结构深紫外透明导电膜及其制备方法
申请号	CN201010138222.1	申请日期	2010-03-30
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-09-22	公开/公告号	CN101841003A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/52 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕 H01L51/52 器件的零部件〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;2;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;0;8查看分类表>
申请人	鲁东大学	申请人地址	山东省烟台市芝罘区红旗中路186号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	鲁东大学	当前权利人	鲁东大学
发明人	闫金良;李厅;张易军;赵银女
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种锡掺杂氧化铟(ITO)/氧化镓(Ga2O3)双层结构深紫外透明导电膜及其制备方法，属于电子材料技术领域。本发明以紫外光学石英玻璃为基板，用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶制备Ga2O3层，厚度30-60nm；用直流磁控溅射ITO靶材制备ITO层，厚度15-29nm。溅射气体氩气压强0.2-2Pa，射频溅射功率50-100W，基板温度200-320℃，直流溅射电流80-150mA，直流溅射电压200-400V。所制备的薄膜具有电阻率低、可见光范围透射率高以及紫外和深紫外区域透射率高等优良的光电性能。本发明方法获得的薄膜在紫外光电器件等领域具有良好的应用前景。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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