用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200810016665.6
IPC分类号：C01B31/36
申请日期：
2008-06-04
申请人：
山东大学

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专利名称	用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法
申请号	CN200810016665.6	申请日期	2008-06-04
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2008-11-12	公开/公告号	CN101302011
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B31/36 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/36 （转入C01B 32/956-C01B 32/991）	IPC分类号	C;0;1;B;3;1;/;3;6查看分类表>
申请人	山东大学	申请人地址	山东省济南市槐荫区天岳南路99号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	山东天岳先进科技股份有限公司	当前权利人	山东天岳先进科技股份有限公司
发明人	胡小波;宁丽娜;李娟;王英民;徐现刚
代理机构	济南圣达专利商标事务所有限公司	代理人	王书刚

摘要

本发明提供了一种用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法，包括以下步骤：(1)按摩尔比1∶1的比例取Si粉和C粉；(2)将所取Si粉和C粉混合均匀后放入坩埚中，将坩埚置于中频感应加热炉中，对生长室抽真空，将温度升高至1000℃；向生长室中充入高纯氩气、氦气或者氩气和氢气的混合物，加热至合成温度1500℃，保持一定的反应时间后降至室温；(3)将一次合成中所得产物粉末混合均匀，在1600℃到2000℃二次合成温度，合成时间2小时-10小时，降至室温即可得到适于半导体SiC单晶生长的高纯SiC粉料。本发明采用二次合成法，不仅可以使初次合成时剩余的Si和C单质完全反应，且有效去除Si粉和C粉中携带的大部分杂质元素。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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