旋转式磁控溅射靶

实用新型专利无效专利

申请号：
CN03274500.1
IPC分类号：--
申请日期：
2003-09-11
申请人：
深圳豪威真空光电子股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	旋转式磁控溅射靶
申请号	CN03274500.1	申请日期	2003-09-11
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	深圳豪威真空光电子股份有限公司	申请人地址	广东省深圳市南山区深南大道市高新技术工业村W1A区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳豪威真空光电子股份有限公司	当前权利人	深圳豪威真空光电子股份有限公司
发明人	许生;许沭华
代理机构	深圳市创友专利代理有限公司	代理人	彭家恩

摘要

本实用新型提出了一种用于大面积薄膜沉积的旋转式磁控溅射靶，包括永磁体1、靶材4和旋转机构12，所述旋转机构12传动靶材4绕永磁体1旋转，从而提高了靶的利用率，避免靶面起弧的现象，保证溅射过程的稳定性和沉积薄膜的质量，同时使用旋转式双柱状磁控溅射孪生靶，对沉积化合物薄膜采用中频放电形式，更增加了溅射过程的稳定性和沉积薄膜的质量。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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