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高深宽比沟槽的薄膜填充方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910552443.4
  • IPC分类号:H01L21/762
  • 申请日期:
    2019-06-25
  • 申请人:
    中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
著录项信息
专利名称高深宽比沟槽的薄膜填充方法
申请号CN201910552443.4申请日期2019-06-25
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-12-25公开/公告号CN112133673A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2查看分类表>
申请人中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司申请人地址
浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中电海康集团有限公司,浙江驰拓科技有限公司当前权利人中电海康集团有限公司,浙江驰拓科技有限公司
发明人王雷;刘鲁萍
代理机构北京兰亭信通知识产权代理有限公司代理人暂无
摘要
本发明提供一种高深宽比沟槽的薄膜填充方法,包括提供一衬底,在所述衬底上沉积被刻蚀层,在所述被刻蚀层中形成高深宽比的沟槽或通孔;沉积第一介电层薄膜或第一金属层薄膜,所述第一介电层薄膜或第一金属层薄膜完全填充所述沟槽或通孔;当所述第一介电层薄膜或第一金属层薄膜位于所述沟槽或通孔外的部分存在空洞时,进行第一次化学机械抛光、干法刻蚀或者湿法刻蚀,以去除所述空洞;在第一次化学机械抛光、干法刻蚀或者湿法刻蚀后的界面上沉积第二介电层薄膜或第二金属层薄膜。本发明能够去除高深宽比的沟槽或通孔薄膜填充工艺中出现的位于沟槽或通孔之外的介电层或金属层薄膜空洞并改变薄膜电学性能。

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