掩模及其制造方法、掩模芯片及其制造方法以及电子设备

发明专利无效专利

申请号：
CN200610105656.5
IPC分类号：H01L21/00;H01L21/203;H01L21/3205;C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24;H05B33/10
申请日期：
2006-07-18
申请人：
精工爱普生株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	掩模及其制造方法、掩模芯片及其制造方法以及电子设备
申请号	CN200610105656.5	申请日期	2006-07-18
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-01-24	公开/公告号	CN1901138
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;3;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;0;5;;;C;2;3;C;1;4;/;0;4;;;C;2;3;C;1;4;/;1;2;;;C;2;3;C;1;4;/;2;4;;;H;0;5;B;3;3;/;1;0查看分类表>
申请人	精工爱普生株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	精工爱普生株式会社	当前权利人	精工爱普生株式会社
发明人	四谷真一;桑原贵之;小枝周史
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汪惠民

摘要

本发明提供一种可在大型的被成膜基板上高精度形成图案的掩模。本发明的掩模是多个掩模芯片(20)通过支承部件(10)而被接合的掩模(1)，形成有与在多个掩模芯片(20)上形成的图案对应的多个第1开口部分(22)；在邻接的掩模芯片(20、20)的互相对置的侧面中的至少一方的侧面上形成有缺口部分(20f)；在互相邻接的掩模芯片(20)被接合的接合部，形成由缺口部分(20f)构成的、包含与所形成的图案对应的第2开口部分(22a)的间隙部；在互相邻接的掩模芯片(20)的至少一方，形成覆盖第2开口部分(22a)以外的间隙部(22b)的遮蔽部(26)。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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