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源漏离子注入对位错缺陷影响的检测方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201410126970.6
  • IPC分类号:H01L21/66
  • 申请日期:
    2014-03-31
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称源漏离子注入对位错缺陷影响的检测方法
申请号CN201410126970.6申请日期2014-03-31
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2014-06-18公开/公告号CN103871925A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/66IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人范荣伟;袁增艺;龙吟;倪棋梁;陈宏璘
代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人吴世华;林彦之
摘要
本发明公开了一种N型源漏离子注入对位错缺陷影响的检测方法,包括:设计应力分布不均的测试结构,所述测试结构设计为包括具有应力集中区域的N型有源区;执行多个工艺步骤以完成所述测试结构的制程;在所述测试结构上形成多个连接孔并在其中填充金属,所述多个连接孔至少连接所述应力集中区域;通过电子束扫描仪扫描所述测试结构以得到连接孔影像特征图并据此检测所述测试结构中由应力引起的位错缺陷;以及仅改变测试结构的制程中N型源漏离子注入步骤的工艺条件,并重复进行上述步骤以检测N型源漏离子注入的工艺条件对位错缺陷的影响。本发明能够为N型源漏离子注入工艺优化提供参考。

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