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一种发光二极管外延片及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201710520222.X
  • IPC分类号:H01L33/14H01L33/00
  • 申请日期:
    2017-06-30
  • 申请人:
    华灿光电(苏州)有限公司
著录项信息
专利名称一种发光二极管外延片及其制造方法
申请号CN201710520222.X申请日期2017-06-30
法律状态驳回申报国家暂无
公开/公告日2017-11-17公开/公告号CN107359229A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/14IPC分类号H01L33/14;H01L33/00查看分类表>
申请人华灿光电(苏州)有限公司申请人地址
江苏省苏州市张家港市经济开发区晨*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华灿光电(苏州)有限公司当前权利人华灿光电(苏州)有限公司
发明人胡任浩;周飚;胡加辉;李鹏
代理机构北京三高永信知识产权代理有限责任公司代理人徐立
摘要
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法,属于半导体技术领域。外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型氮化镓层和N型接触层。本发明通过在P型氮化镓层上层叠N型接触层,能够掺入N型接触层的N型掺杂剂较多,N型掺杂剂的活化率也较高,N型接触层中提供的电子数量远多于P型接触层中提供的空穴数量,接触层中将P型电极注入的电流传递到P型氮化镓层的载流子数量大大增加,接触层的电阻大大减小,在注入电流不变的情况下,LED的工作电压大幅降低,LED的光效提高;同时产生的热量减少,对LED封装材料的要求降低,生产成本得以降低。

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