可分别对双镶嵌工艺的中介窗与沟槽进行表面处理的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200310122691.4
IPC分类号：--
申请日期：
2003-12-24
申请人：
上海宏力半导体制造有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	可分别对双镶嵌工艺的中介窗与沟槽进行表面处理的方法
申请号	CN200310122691.4	申请日期	2003-12-24
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-06-29	公开/公告号	CN1632940
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	上海宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海宏力半导体制造有限公司
发明人	郭强
代理机构	上海光华专利事务所	代理人	余明伟

摘要

本发明提供一种利用具有倾斜角度的电浆来分别针对双镶嵌工艺的中介窗的底部与沟槽的表面进行表面处理的方法，其能达到在中介窗与沟槽刻蚀工艺后针对中介窗底部的刻蚀残留物和/或金属表面氧化物进行移除，以及对沟槽表面进行表面处理，来避免可能产生的电性不佳与增加沟槽表面与阻障金属层的附着力之目的，进而解决通常技术里无法针对中介窗与沟槽分别进行表面处理的缺点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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