纳米级柱状物林的制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610977048.7
IPC分类号：B81C1/00;B82B3/00;B82Y10/00
申请日期：
2016-10-28
申请人：
深圳市华星光电技术有限公司

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著录项信息

专利名称	纳米级柱状物林的制作方法
申请号	CN201610977048.7	申请日期	2016-10-28
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2017-02-22	公开/公告号	CN106430083A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C1/00 在基片内或其上制造或处理的装置或系统（B81C 3/00优先）〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;1;/;0;0;;;B;8;2;B;3;/;0;0;;;B;8;2;Y;1;0;/;0;0查看分类表>
申请人	深圳市华星光电技术有限公司	申请人地址	广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	TCL华星光电技术有限公司	当前权利人	TCL华星光电技术有限公司
发明人	卢马才
代理机构	深圳市德力知识产权代理事务所	代理人	林才桂

摘要

本发明提供一种纳米级柱状物林的制作方法，通过在衬底基板上依次形成第一无机物膜层与光阻层，利用惰性气体等离子体将所述第一无机物膜层上的部分无机物材料溅射转移至光阻层上，在光阻层上形成不连续的第二无机物膜层，然后利用所述不连续的第二无机物膜层作为掩膜，对所述光阻层进行等离子体刻蚀，即可在光阻层表面形成纳米级柱状物林。该方法无需微显影技术即可在光阻层上形成大面积的纳米级柱状物林，能够应用于显示面板的生产中并大幅度降低相关工艺的生产成本。

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