一种清洁晶圆及等离子体处理装置

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202120679182.5
IPC分类号：H01J37/32;B08B13/00;B08B7/00;B08B5/02
申请日期：
2021-04-02
申请人：
中微半导体设备（上海）股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种清洁晶圆及等离子体处理装置
申请号	CN202120679182.5	申请日期	2021-04-02
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/32 充气放电管（放电加热的入H05B）	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;3;2;;;B;0;8;B;1;3;/;0;0;;;B;0;8;B;7;/;0;0;;;B;0;8;B;5;/;0;2查看分类表>
申请人	中微半导体设备（上海）股份有限公司	申请人地址	上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中微半导体设备（上海）股份有限公司	当前权利人	中微半导体设备（上海）股份有限公司
发明人	周艳;杨宽
代理机构	上海元好知识产权代理有限公司	代理人	徐雯琼;张静洁

摘要

本实用新型公开了一种清洁晶圆，一种等离子体处理装置及处理方法，包括一反应腔，所述反应腔包括：进气装置，用于向所述反应腔输送清洁气体；射频电源，用于将所述清洁气体解离为清洁等离子体；清洁晶圆；静电吸盘，用于承载所述清洁晶圆，清洁晶圆与静电吸盘之间设置一支撑装置，所述支撑装置使得清洁晶圆背面与静电吸盘表面之间形成一定高度，进而使得清洁晶圆边缘区域的背面与聚焦环的上表面形成一定缝隙，避免对聚焦环上表面和聚焦环与静电吸盘之间的缝隙造成遮挡，使得清洁等离子体能有效清除聚焦环第二上表面和缝隙内的沉积物。保证等离子体处理装置处理晶圆的均一性，同时降低沉积物可能导致的电弧放电现象，提高设备的稳定性。

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