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铝垫的形成方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010022700.2
  • IPC分类号:H01L21/60
  • 申请日期:
    2010-01-12
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称铝垫的形成方法
申请号CN201010022700.2申请日期2010-01-12
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2011-07-20公开/公告号CN102130023A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/60IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人王琪
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人李丽
摘要
本发明提供了一种铝垫的形成方法,包括:提供半导体基底,所述半导体基底内形成有金属互连层;在半导体基底的表面形成铝垫层,刻蚀部分铝垫层形成铝垫,且使得所述铝垫与所述金属互连层电连接;在半导体基底以及铝垫的表面形成钝化层;减薄所述钝化层,直至露出铝垫的顶部。与现有技术相比,仅使用一次等离子刻蚀以及掩膜工序,简化了形成工艺,铝垫表面受到等离子刻蚀的影响较小,并提高顶部的平整度,有助于降低接触电阻提高器件可靠性。

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