一种面内双轴加速度传感器芯片及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910644341.5
IPC分类号：G01P15/12;B81B7/02;B81C1/00
申请日期：
2019-07-17
申请人：
西安交通大学

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著录项信息

专利名称	一种面内双轴加速度传感器芯片及其制备方法
申请号	CN201910644341.5	申请日期	2019-07-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-10-29	公开/公告号	CN110389237A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01P15/12 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01P 线速度或角速度、加速度、减速度或冲击的测量；运动的存在或不存在的指示；运动的方向的指示（利用陀螺效应测量角速率入G01C 19/00；用于测量两个或多个运动变量的组合测量设备入G01C 23/00；声速测量入G01H 5/00；光速测量入G01J 7/00；通过无线电波或其他波的反射或再辐射，且基于传播效应（例如多普勒效应）、传播时间或传播方向来测量固体物体的方向或速度入G01S；核辐射速度的测量入G01T） G01P15/00 测量加速度；测量减速度；测量冲击即加速度的突变 G01P15/02 利用惯性力（G01P 15/14优先）〔1，7，2013.01〕 G01P15/08 用变换成电或磁量 G01P15/12 应用电阻值的改变	IPC分类号	G;0;1;P;1;5;/;1;2;;;B;8;1;B;7;/;0;2;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	西安交通大学	申请人地址	陕西省西安市碑林区咸宁西路28号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安交通大学	当前权利人	西安交通大学
发明人	赵立波;贾琛;罗国希;于明智;杨萍;李支康;王久洪;蒋庄德
代理机构	西安智大知识产权代理事务所	代理人	贺建斌

摘要

一种面内双轴加速度传感器芯片及其制备方法，芯片采用SOI硅片制成，包括芯片外框架，芯片外框架每一侧与两个质量块之间通过支撑梁连接，支撑梁为“T”型结构，其一端固定于芯片外框架，另外两端分别与延伸梁和质量块连接；敏感压阻微梁设置于延伸梁末端与支撑梁固定端之间的间隙处，对称分布在支撑梁固定端两侧；所有质量块通过铰链梁连接成正方形；每个敏感压阻微梁上形成有压敏电阻，压敏电阻通过金属引线和焊盘相连并构成惠斯通全桥电路；本发明传感器芯片将支撑元件与敏感元件进行了分离，降低了面内双轴加速度检测中交叉灵敏度的干扰，提高了压阻式加速度传感器的动态性能和适用范围，制作方法简单，可靠性高。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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